学位

• 工学修士(電気通信大学)
• 博士(工学)(東京大学)

経歴

学歴

受賞

• Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
• Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
• 安藤博記念学術奨励賞

その他

論文

• Abnormal photoluminescence properties of InAs/InAsSb in-plane ultrahigh-density quantum dots [DOI] [Othres link] [Othres link]
• Resonant tunneling injection of electrons through double stacked GaAs/InAs quantum dots with nanohole electrode [DOI] [Othres link] [Othres link]
• High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates [DOI] [Othres link]
• Demonstration of In-Plane Miniband Formation in InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum Dots by Analysis of Temperature Dependence of Photoluminescence
• Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs
• Quantum Dot Phase Transition Simulation with Hybrid Quantum Annealing via Metropolis-Adjusted Stochastic Gradient Langevin Dynamics
• InAs/GaAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dot Lasers
• Experimental Demonstration of Energy-Transfer Rachet Intermediate-Band Solar Cell
• Intermittent Growth for InAs Quantum Dot on GaAs(001)
• 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
• Low Sunlight Concentration Properties of InAs Ultrahigh-Density Quantum-Dot Solar Cells
• Optical Transition and Carrier Relaxation in a Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dot Layer
• Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films
• Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
• Strongly Iridescent Hybrid Photonic Sensors Based on Self-Assembled Nanoparticles for Hazardous Solvent Detection
• Coarsening Process of High-Density InAs Quantum Dots on Sb-Irradiated GaAs
• Growth process and Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)
• Recent Progress on Quantum Dot Solar Cells: a review
• Self-Formation of Ultrahigh-Density (1012 cm-2) InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001) and Their Photoluminescence Properties
• Fabrication of GaAs/AlAs Micro-Pillar Cavities Including Low-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
• Wideband luminescence of high-density InAs quantum dots on GaAsSb/GaAs layers
• Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots
• Long Carrier Lifetime in Ultrahigh Density InAs Quantum Dot Sheet of Intermediate Band Solar Cells
• Quantum-Dot Density Dependence of Power Conversion Efficiency of Intermediate-Band Solar Cells
• Self-Formation of In-Plane Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001)
• Self-formation of ultrahigh-density InAs quantum dots on GaAs(001) substrates by Sb-mediated MBE growth
• ThP-57 Wideband luminescence from high-density InAs QDs on GaAsSb/GaAs layers
• Intermediate-Band Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Sheets
• In-Plane High Density InAs Quantum Dots on GaAs/Ge(001) for Solar Cell Applications
• In-plane densification of InAs self-assembled quantum dots
• In-Plane Quantum-Dot Superlattices of InAs on GaAsSb/GaAs(001) for Intermediate Band Solar-Cells
• Self-Formation of In-Plane InAs QD Superlattices with Long Carrier Lifetime
• MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates
• Sb-Mediated Self-Formation of Ultra-High Density InAs Quantum-Dots on GaAs(001)
• Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb / GaAs (001) for Solar Cell Applications
• Self-Formation Control of Ultra-Low Density InAs Quantum-Dots by Intermittent MBE Growth
• Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption
• Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications
• MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates
• Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots
• Fine control of super low-density InAs quantum dots by intermittent growth using MBE
• Annealing properties of InAs quantum dots grown on GaAsSb/GaAs buffer layers
• Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE
• Uniform formation of high-density InAs quantum dots by InGaAs capping growth
• In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(001) layer for high-density InAs quantum dot growth
• Narrow photoluminescence spectra of closely stacked InAs quantum dots with high dot density on GaSb/GaAs(001)
• Generation of highly circularly polarized light from uniform InAs/GaAs quanutm dots
• Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supplying and Annealing Method
• In Situ X-Ray Crystal Truncation Rod Scattering Measurements of Sb Irradiated GaAs(001) Surface
• MBE Growth of Sb-containing InAs Quantum Dots and GaAsSb Capping Layers
• Two-Exciton State in GaSb/GaAs Type-II Quantum Dots Studied using Near-Field Photoluminescence Spectroscopy
• Sb-mediated growth of high-density InAs Quantum Dots and GaAsSb Embedding Growth by MBE
• In-Plane Self-Arrangement of High-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) by Molecular Beam Epitaxy
• Closely Stacking Growth of Highly Uniform InAs Quantum Dots on Self-Formed GaAs Nanoholes
• Modification of InAs Quantum Dot Structure During Annealing
• Structure of GaSb/GaAs(001) Surface Using the First Principles Caluculation
• Surface Reconstructions on Sb-irradiated GaAs(001) Formed by Molecular Beam Epitaxy
• Uniform Self- Formation of High-Density InAs Quantum Dots by InGaAs Embedding Growth
• Closely Stacking Growth of Highly Uniform InAs Quantum-Dot Molecules on Self-Formed GaAs Nanoholes
• InAs quantum dots formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in situ STM inside MBE growth chamber
• Atomic structure of epitaxially grown GaSb/GaAs(001) surface using the first principles calculation
• Field Emission of Spin-Polarized Electrons Extracted from Photoexcited GaAs Tip
• High-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Spin Relaxation and Antiferromagnetic Coupling in Semiconductor Quantum Dots
• Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Dots on Sb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitax
• In-Plane Ordering of Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Assembled InAs Quantum-Dot Chains on Self-Formed GaAs Mesa-Stripes by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Formation of High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitax
• Analysis of Sb-As Surface Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells
• Two-Dimensional Self-Arrangement of InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing
• Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
• Control of Self-Assembled InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Stacking Growth of High-Density InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by MBE
• Two-Dimensional Self-Arrangement of InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Structural Stability of Size-Limited InAs Quantum Dots during Growth Interruption
• In-situ X-ray diffraction study on modification of InAs quantum dot structure during growth interruption
• Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
• Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties
• Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
• Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
• Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots
• Analysis of Sb-As Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells
• Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing
• Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots
• Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy
• Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Formation of Uniform InAs Quantum Dots and Quantum-Dot Chains
• Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties
• Kelvin Probe Force Microscopy Measurement of InAs Quantum Dots
• Highly Uniform and Highly Dense InAs Quantum Dots by MBE Stacking Growth
• 1.3-μm Light Emission from InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix
• Self-Formation of GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
• Uniform Formation of GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Formation of One-Dimensional InAs Quantum-Dot-Chains on Vicinal GaAs(001) Substrates
• Observation of Spin-dependent Tunnel Conductance by Spin-polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Ni tips
• Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-Ferromagnetic Coupling and Spin-Pauli-Blocking in Quantum Dots
• Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Uniform Formation of Two-dimensional and Three-dimensional InAs Islands on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
• High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer
• Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands and 3-Dimensional Dots by Annealing
• Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs Quantum Dots of High-Uniformity
• Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots
• Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• Fabrication of One-Dimensional InAs Quantum-Dot Chains on GaAs/InGaAs Strained Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy
• Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs High-Uniform Quantum Dots
• Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots
• Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands to 3-dimensional Dots by Annealing
• High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer
• Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer
• Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots
• Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips
• One-Dimensional Quantum-Dot Chains of InAs Grown on Strain-Controlled GaAs/InGaAs Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy
• Observation of Spin-polarized Electrons Using STM-differential Conductivity and Photo-assisted Tunneling Measurements
• Size Ordering Effects of InAs Quantum Dots During a GaAs Capping Growth
• Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips
• Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots
• Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer
• Self Size-Limiting Process of InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
• Anisotropic Surface Segregation of Indium Atoms in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
• Photo-Excitation Spectra in Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tip
• Photo-Assisted Electron Tunneling from GaAs to Ferromagnets in Micro-Fabricated Junctions and Spin-Polarized STM
• Application of Micro-Fabricated GaAs Tip to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
• Self Size Limit of InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
• Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tips
• Self-Organized Quantum Dot Chains of InAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
• Lifetime and Spin Relaxation Time Measurements of Micro-fabricated GaAs Tips
• Possible Parasitic Signals in the Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tips
• One-Dirnensional Alignment of InAs Dots on Strain-Controlled InGaAs Layers by Selective-Area Molecular Beam Epitaxy
• 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の試み
• 円偏光励起GaAsマイクロ探針のスピン偏極トンネル電子源への応用
• Lifetime and Spin Relaxation Time Measurements of Micro-fabricated GaAs Tips
• Stranski-Krastanov Growth of InAs Quantum Dots with Narrow Size Distribution
• Progress Toward Spin-Polarized STM Using Ferromagnetic and Semiconductor Tips
• One-Dimensional Alignment of InAs Quantum Dots on Strain-Controlled InGaAs Layers by Selective-Area Molecular Beam Epitaxy
• Observation of Spin-Dependent Tunneling Current Using Optically Pumped GaAs Microtip
• Effect of Dichroism in the GaAs-Tip-Based Spin Polarized STM
• Spin - Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
• Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope Using Optically Pumped GaAs Microtips
• Observation of Co Ultrathin Films Using Scanning Tunneling Microscope Equipped with GaAs Photoexcited Tips
• A Trial of Spin-Sensitive STM Using Micro-Fabricated GaAs Tips
• Effect of Dichroism in the GaAs Tip-Based Spin-Polarized STM
• Fabrication of GaAs Microtips and Its Application to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
• Spin-Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
• Selective Self-Organization of InAs Quantum Dots on InGaAs/GaAs Buffer Layers
• Selective growth of self-organizing InAs quantum dots on strained inGaAs surfaces
• Selective Self-organization of InAs Islands on InGaAs/GaAs Buffer Layers
• Fabrication of GaAs Microtips and Their Application to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
• Selective Self-Formation of InAs Quantum Dots on Strained InGaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy
• Analysis of Indium Surface Segregation in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
• Selective Growth of Self-Organizing InAs Quantum Dots on Strained InGaAs Surfaces
• Fabrication of GaAs Microtips for Scanning Tunneling Microscopy by Wet Etching
• Self-Limited Stripe Width in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of GaAs
• 原子間力顕微鏡(AFM)の試作
• Analysis of Indium Surface Segregation in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
• Scanning tunneling microscope with gallium arsenide microtip fabricated by selective epitaxial growth
• 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作
• 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作〔II〕
• Lateral Supply Mechanisms in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Anisotropic Ridge Growth by Step-Flow-Mode Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
• クロライド系有機金属を用いた選択MOCVD法によるAlGaAs/GaAs系発光素子の作製
• Doping Properties of GaAs Selective Epilayers Grown by Atmospheric-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Surface-Diffusion Model in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Selective Epitaxial Growth on (100) Vicinal GaAs Surfaces by Atmospheric-Pressure Metalogranic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
• Fabrication of GaAs Fine Stripe Structures by Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
• Selective Epitaxial Growth of AlGaAs by Atmospheric Pressure MOCVD Using Diethylgalliumchloride and Diethylaluminumchloride
• Analysis of Deposition Selectivity in Selective Epitaxy of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Lateral Growth of GaAs over SiO₂ Films Prepared on (111)B Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Atom Beam-Irradiation Effects on Selective Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Lateral Growth on {111}B GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Selectively Buried Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Selective Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

その他業績

• 超高密度量子ドットの結晶成長技術とその光電子デバイスへの応用
• 量子ドットの光・電子デバイスへの応用・可能性
• 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
• 量子ドットの基礎知識と結晶成長およびデバイス応用
• 量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発
• 光デバイス応用に向けたⅢ‐Ⅴ族半導体量子ドットの結晶技術の進展
• 量子ドットの作製技術・構造制御と応用
• 半導体量子ドットのデバイス応用における作製技術の課題と展望
• 量子ドットの作製技術とデバイスへの応用
• Sb原子による表面・界面改質効果を利用したInAs量子 ドットの自己形成制御
• 高均一量子ドットの自己形成
• 半導体量子ドット構造の自己組織化成長
• 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の試み
• 原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の試作

講演・口頭発表等

• Photo Properties of 2-Dimensional InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum Dot Array
• MBE Growth of High-Density InAs/InAsSb Nanowires on Si(111) Substrates and Their Mid-Infrared Emission
• Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots
• Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長
• InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性
• Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband
• High-Density InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates by MBE
• 近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導
• Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer
• Si(111)基板上への高密度InAs量子ナノワイヤのMBE成長
• 面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用
• InAs In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots - MBE Growth and Their Device Applications -
• Fabrication of InAs Quantum Dots on Fused Silica Substrates by Molecular Beam Deposition
• 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
• 高密度・高均一量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製(2)
• 分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成
• Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長
• InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製(2)
• 面内超高密度InAs量子ドット層における中間バンド形成
• 「分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成」
• 「面内超高密度InAs 量子ドット層における中間バンド形成」
• 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製」
• 「Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長」
• 「 InP基板上のInAs/InGaAsSb type-Ⅱ超格子構造の中赤外LED の作製（2）」
• Fabrication of Mid-Infrared LEDs Using InAs/InGaAsSb Superlattice Structures Grown by MBE
• Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
• Fabrication of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Quantum-Dot Laser Applications
• Sunlight Concentration Properties of InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum -Dot Solar Cells
• Photoluminescence Mapping Analysis of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
• Fabrication of III-V Compound Semiconductor Quantum Dots and Their Device Applications
• エレクトロスプレーイオン源による薄膜のキャラクタリゼーション
• 面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング解析(2)
• 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)
• イオンビーム堆積法によるInP/ZnS CQD薄膜作製とキャラクタリゼーション
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性(2)
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
• InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製
• 「高密度InAs量子ドット層における欠陥起因の励起子発光マッピング
• Fabrication of InAs Quantum Dots on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
• 酸化膜上へのⅢ-Ⅴ族半導体量子ドットの成長
• Quantum Dot Technology for Optoelectronic Device Applications
• Photoluminescence Mapping of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
• Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
• 「分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成」
• 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池のドリフト・拡散モデルによる特性解析」
• 「面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング測定評価」
• 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(3)」
• 面内超高密度量子ドット層の太陽電池応用
• 量子ドット太陽電池用Type-II型InAs/GaAsSb量子ドット層の発光特性
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
• InP基板上への中赤外発光InAs/GaAsSb type-II超格子構造のMBE成長
• 分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
• 面内超高密度InAs量子ドット層のPLマッピング解
• Light Interfererence Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
• Optical Transition and Carrier Transport in Type-II Heterostructures of Highly Dense InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs
• Light Interference Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
• Influence of Urback Tail on Fundamental Properties of Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots
• Study on Carrier Dyanamics in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Layer for Solar Cell Applications
• GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(2)
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池におけるUrback tailの影響
• 自己形成量子ドットの進展
• Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) for Solar Cell Applications
• Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
• 量子ドットのデバイス応用
• 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性」
• Sb照射熱処理によるInAs量子ドット層の構造変化
• 量子現象利用デバイス技術動向
• Photoluminescence and Photovoltaic Properties of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)
• Investigation of Hot Carrier Transportation Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
• InAsSb/GaAs(001)上へのInAs3次元島成長とその発光特性
• InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるホットキャリア輸送ダイナミクス
• InP基板上への3μm帯発光InAsSb量子ナノ構造のMBE成長
• Fabrication of Ultrahigh-Density GaAsSb/InAsSb Quantum Dots and Their Photovoltaic Applications
• 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池の熱処理効果
• 面内超高密度InAs量子ドット層における熱処理効果
• InAsSb/GaAs(001)上のInAs成長における3次元核形成機構
• Self-Formation of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Intermediate-Band Solar Cell Applications
• Fabrication of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dot Layers and Their In-Plane Carrier Transport Properties
• 面内高密度 InAs/GaAsSb 量子ドット層における光励起キャリア効果
• InAsSb/GaAs 層上の面内超高密度 InAs 量子ドットの発光特性
• 量子ドット利用デバイス技術動向
• 自己形成量子ドットの作製技術とデバイス応用
• Photo-Conductance Properties of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
• In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察
• InAsSb 層上への面内超高密度InAs 量子ドット（1012 cm-2）の自己形成（3）
• 面内高密度InAs量子ドット層の発光特性のInAs成長量依存性
• 面内超高密度InAs量子ドット層おける光伝導特性
• 自己形成量子ドットはどこまで制御できるか
• Sun-Concentration Properties and Two-Step Photoexcitation Effects of In-Plane High-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
• 半導体量子ドットの結晶成長技術と光デバイス応用の展開
• Fabrication of GaAs/AlAs Micro-Pillar Cavities Including Low-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
• Intermediate-Band Formation of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
• 面内超高密度InAs量子ドット層の特異なPL特性
• 低密度InAs量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製とPL発光特性
• InAsウエッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成ＳＴＭＢＥ観察
• InAs/GaAsSb量子ドットを用いた中間バンド太陽電池の集光特性の計算
• Long Photoluminescence Decay Time of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001)
• STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察
• 面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性
• 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
• 高密度InAs量子ドット層の広帯域発光特性
• InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成(2)
• Self Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs(Sb)/GaAs(Sb) Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
• 面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とその特性評価
• ナノホールGaAs歪緩和埋め込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光(2)
• GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの選択励起PL特性
• Quantum-Dot Density Dependences of Power Conversion Efficiency for Intermediate-Band Solar Cells
• Long Carrier Lifetime in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Sheet of Intermediate Band Solar Cells
• 1.5-μm Surface Emission of InAs Quantum Dots with GaAs-Nanohole Capping Layers
• Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs Layers
• 中間バンド型太陽電池特性の量子ドット密度依存性
• 面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
• InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット（1012 cm-2）の自己形成
• Self-formation of In-plane ultrahigh-density InAs quantum dots for intermediate-band solar cells
• Self-Formation of In-Plane Ultrahigh Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
• 単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測
• 面内超高密度InAs量子ドットシートを用いた中間バンド型太陽電池の作製評価
• ナノホールGaAs歪緩和埋込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光
• GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
• Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on GaAs(001) Substrates by Sb-Mediated MBE Growth
• Wideband Luminescence from High-Density InAs QDs on GaAsSb/Gaas Layers
• Intermediate-Band Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Sheets
• Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
• ナノひずみ制御による超高密度InAs 量子ドットの自己形成 とそのデバイス応用
• 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池応用（３）
• GaAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成（２）
• InAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
• GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの広帯域発光
• Solar Cell Applications of In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
• 量子ドット太陽電池の開発 超高密度量子ドットセル
• In-Plane High Density InAs Quantum Dots on GaAs/Ge(001) for Solar Cell Applications
• 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用(2)
• GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
• 面内超高密度GaAsSb/InAs type-II量子ドットへのGaAsスペーサ層導入効果
• 単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
• 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
• 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
• GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドット成長における面内超高密度化
• 面内超高密度InAs量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化
• InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果
• 時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測
• 超低密度InAs量子ドットの自己形成制御
• 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化
• 量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発（量子ドットの高均一・高密度化技術）
• Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands"
• 半導体ナノ構造の最近の展開 -量子ドットの自己形成-
• ナノフォトニクス半導体量子ドットの自己形成制御
• InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長
• InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(4)
• 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長
• 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解Ｘ線回折測定（3)
• 面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定
• 自己形成InAs量子ドットの高密度・高均一化
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（5)
• 太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長
• 高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化
• 半導体量子ドットの自己形成制御
• 自己形成量子ドットの精密制御法の展開
• 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
• InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレ－ション
• 積層InAs量子ドットの熱処理効果
• Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長(2)
• 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)
• Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots
• Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御 -均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-
• InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
• 自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響
• 高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
• Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長
• 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定
• 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの近接積層成長
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
• GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果(2)
• 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善
• Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長
• GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
• InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
• 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上InAs量子ドットの近接積層成長
• GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの積層成長
• GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果
• GaAsSb/GaAs(001)層上のInAs量子ドット成長におけるSb導入効果
• Progress in Size Uniformity and Density Control of Self-Assembled InAs Quantum Dots
• InAs/GaAs系量子ドットのMBE成長におけるSb導入効果
• 自己形成GaAsナノホールを用いた２重積層InAs量子ドットのトンネルコンダクタンス測定
• Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Dots for Optical Communication Devices
• Sb-Mediated Growth of Self-Assembled InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• 高均一InAs量子ドットの高スピン偏極発光:スピンパウリブロッキングを含むレート方程式解析
• 高均一InAs/GaAs量子ドットの第二励起準位のスピン緩和
• Sb導入高密度InAs量子ドットのMBE成長過程におけるドット構造変化
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（2）
• 自己形成GaAsナノホールを用いたInAsおよびGaSb量子ドットの近接積層成長
• GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性
• MBE Growth of InAs Quantum Dots on InAsSb Wetting Layers
• InAs Quantum Dots Formation on Sb Irradiated GaAs(001) Observed by in-situ STM inside MBE Growth Chamber
• Self-Formation of High-Density InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs by Molecular Beam Epitaxy
• Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supply and Anneal Method
• Sb照射GaAs(001)表面のその場X線回折測定
• 高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の時間分解測定
• 高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の発生
• GaAs上のInAs量子ドット成長におけるInAsSb濡れ層の導入効果
• 高密度InAs量子ドットの積層成長におけるGaAsSb埋め込み層の導入
• Sb終端GaAs層上の高密度InAs量子ドットの発光特性
• InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長におけるサイズ揺らぎの抑制
• 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
• 光通信波長帯InAs量子ドットのMBE成長その場X線回折測定
• Sb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長による高均一化
• 自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
• MBEによる高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
• Sb 照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
• GaAsSb/GaAs(001)基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成
• 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
• InAs wetting layer formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in-situ STM inside MBE growth chamber
• 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成とその場時間分解X線回折測定
• Sb照射GaAs(001)層上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
• 自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
• MBEによるGaAsSb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットの面内自己配列
• Sb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
• 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
• 化合物半導体量子ドット成長のその場観察による成長機構に関する研究
• 高均一InAs結合量子ドットにおけるフォトルミネッセンス時間分解測定
• 自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットの近接積層成長
• GaAs層上の高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
• Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
• Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察
• Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長 - Sb/GaAs成長条件依存性 -
• GaAsSb/GaAs(001)基板上への高密度InAs量子ドットの自己配列形成
• Sb-Mediated Stranski-Krastanov Growth of High-Density InAs Quantum Dots on GaAs(001)
• 高密度InAs量子ドットの自己形成
• GaAs(001)-c(4x4)上のSb照射表面その場STM観察
• GaSb/GaAs層上の自己形成InAs量子ドットの密度制御
• GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(3) -バッファ層成長温度依存性-
• 均一InAs量子ドットのスピン偏極率緩和時間の温度依存性
• 表面交換反応制御法による高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
• 自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットダイオードのコンダクタンス測定
• Spin Relaxation and Antiferromagnetic Coupling in Semiconductor Quantum Dots
• 接場光学顕微鏡によるタイプIIGaSb/GaAs量子ドットイメージング・分光
• 高均一InAs量子ドットの第1励起準位におけるスピン偏極率緩和時間の温度依存性
• その場X線回折による成長中断中のInAs量子ドットの構造変化の解析
• GaSb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成 (2)
• GaSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの積層成長
• MBEによるInP基板上のGaSb量子ドットの自己形成
• GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(2)
• 量子ドットの電子スピンの振る舞いと操作：量子情報処理実現に向けて
• Sb/GaAsバッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
• 高均一InAs量子ドットの励起フォトルミネセンス（PLE）測定
• 2重積層InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
• GaAsSbバッファ層上へのInAs量子ドットの自己配列形成
• GaSb/GaAs層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
• 高均一InAs量子ドットのアニール効果(2)
• MBEによるInAs量子ドットの自己形成制御
• GaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットにおける２励起子状態
• 高均一InAs量子ドットでのフォノンボトルネック現象の観測
• 高均一InAs量子ドットにおけるキャリア緩和機構―ウェッティングレーヤーからのキャリア緩和
• 高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
• 自己制限InAs量子ドットの構造安定性
• GaSb/GaAs自己形成量子ドットにおける成長中断
• GaAs/GaSb 量子井戸のMBE成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析（２）
• 埋め込みInAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成制御
• GaSb単分子層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
• 高均一InAs量子ドットのアニール効果
• GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおける2励起子状態
• 半導体量子ドットの自己形成制御 －高均一量子ドット, 量子ドット鎖, 量子ドットに結合したナノホール－
• (Invited) Self-Formation of InAs Quantum Nanostructures – Uniform Quantum Dots, Quantum-Dot Chains and Nanoholes -
• 高均一InAs量子ド ットにおけるキャリア緩和機構2
• 高均一InAs量子ド ットにおけるスピン偏極の観測４－温度依存性
• GaAs/GaSb量子井戸成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析
• 積層InAs量子ドットのファセット形成制御
• GaAs微傾斜基板上への１次元InAs量子ドット鎖の自己形成
• ＳＫ量子ドットの初期成長過程
• GaSb量子ドットのGaAs埋め込み成長 温度依存性
• 高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長
• GaAs埋め込みInAs量子ドットの1.3 μｍ発光
• GaAs表面のGaSb終端化処理制御とその特性
• 高均一量子ドットの成長条件とその物理的起源
• Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-ferromagnetic coupling and Pauli Blocking in Quantum Dots
• １次元InAs量子ドット鎖の自己配列（3）
• 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性 (2)
• GaAs/GaSb量子ドットの成長温度依存性
• InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
• 高均一InAs量子ドットの積層成長
• InAs２次元成長層のアニ－ルによる３次元ドット形成 (2)
• Ni探針を用いたスピン偏極STM
• 高均一 InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測2 - GaAs層のキャリアダイナミクス
• 高均一InAs量子ドットにおけるエネルギー緩和機構
• 高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測３ーキャリア濃度依存性
• Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniformity Quantum Dots
• (Invited) Self Formation of Uniform Quantum Dots and One-Dimensional Quantum-Dot Chains
• (Invited) Self Size-Limiting Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
• 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性
• GaSb/GaAs量子ドットの低成長速度・低Sb圧成長
• In表面偏析効果を促進したInAs量子ドットのPL特性
• １次元InAs量子ドット鎖の自己配列（２）
• 高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測
• 高均一InAs量子ドットによるフォノンボトルネック現象の直接観測
• InAs量子ドットの自己制限過程
• InAs２次元成長層のアニ－ルによる３次元ドット形成
• InAs量子ドットのInGaAs/GaAs埋め込み成長
• １次元InAs量子ドット鎖の自己配列
• 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM
• 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM
• InAsアイランドサイズの形成サイト依存性
• InAs量子ドットの埋め込み成長過程(2) –成長温度依存性-
• InAs量子ドットの埋め込み成長過程(3) –MCシミュレーション-
• （Invited）Facet Formation of InAs Quantum Dots grown by Molecular Beam Epitaxy
• 自己制限InAs量子ドットの形成過程（2）
• 自己組織化InAsドットの初期形成過程
• 金属および半導体探針を用いた磁性体表面のSTS及びSP-STM
• GaAs探針を用いたスピン偏極STMの開発
• 自己組織化InAs量子ドットの高均一化―ドットサイズの自己制限効果―
• GaAsおよび強磁性探針を用いたスピン偏極STMの研究
• スピン偏極STM用GaAsマイクロ探針における表面準位の効果
• 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果（2）
• 自己組織化InAs量子ドットの低As圧成長
• 自己組織化InAs量子ドットの１次元配列現象
• 自己制限InAs量子ドットの形成過程
• 自己組織化InAs量子ドットの低成長速度形成
• InAs量子ドットの埋め込み成長過程
• GaAs微細加工探針を用いたスピン偏極STMの試みと問題点
• 円偏光励起GaAs探針の表面準位とスピン偏極信号の関係
• 歪InGaAsバッファ層へのInAs量子ドットのMBE選択成長（2）
• 高均一InAs自己形成量子ドットの発光特性
• MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション
• 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果
• GaAs微細加工STM探針を用いたGaAsナノ構造の作製
• （invited）Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope Using Optically Pumped GaAs Microtip
• 光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi薄膜表面のSTM観察
• GaAs探針を用いたスピン偏極STMの問題点
• Fabrication of GaAs microtips and its application to spin-sensitive scanning tunneling microscope
• (Invited) Spin-Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
• 円偏光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi表面のSTM観察（3）
• 歪制御InGaAsバッファ層へのInAsドットのMBE選択成長
• 歪InGaAsスピン偏極電子源の作製
• (Invited) Selective Epitaxial Growth of AlGaAs by MOCVD Using Dialkylmetalchloride

書籍等出版物

• 半導体光デバイス
• Molecular Beam Epitaxy
• ユニーク＆エキサイティング サイエンスⅢ
• Handbook of Nano-Optics and Nanophotonics
• 量子ドット太陽電池の最前線（豊田太郎 監修）
• 量子ドットエレクトロニクスの最前線
• Progress in Nanophotonics 1
• Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics
• 電子材料ハンドブック（木村忠正他編集）
• ナノマテリアルハンドブック（国武豊喜監修）
• プロフェッショナル英和辞典 SPED TERRA 物質・工学編
• 工業材料大辞典

作品等

共同研究・競争的資金等の研究課題

• Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
• ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成
• 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 革新的新構造太陽電池の開発 超高効率・低コストⅢーⅤ化合物太陽光電池モジュールの研究開発(高密度量子ドット成長技術）
• ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（自己組織化量子ドット）
• 高密度・高均一量子ﾄﾞｯﾄの作製技術を用いた次世代量子ドットレーザーの試作開発
• シリコン基板上への有機薄膜/半導体量子ドットの作製とその高効率太陽電池への応用
• 高密度量子ドット成長技術の研究
• 高密度量子ドット成長技術の研究
• 高密度量子ドット成長技術の研究
• 高密度量子ドット成長技術の研究
• 高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御
• 高密度量子ドット成長技術の研究
• 高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御
• C4vおよびC3v型微細加工探針の作製およびスピン偏極STM探針の供給とその特性の決定
• C4vおよびC3v型微細加工探針の作製および光応答測定
• 光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
• 光励起GaAsマイクロ探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
• C4vおよびC3v型微細加工探針の作製
• 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
• Spin-polarized scanning tunneling microscopy using optically pumped GaAs microtip
• Self-limited stripe width in the selective metalorganic chemical vapor deposition growth of GaAs
• 屈折率グレーティングによる基本波の回折を利用した位相整合波長変換に関する研究
• GaAs微細加工層の走査型トンネル顕微鏡用探針への応用
• GaAsマイクロ探針の作製とスピン偏極走査型トンネル顕微鏡への応用
• 窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系Ⅲ-Ⅴ族半導体薄膜の結晶成長
• 電子ビーム励起高出力エキシマレーザによる大面積半導体薄膜のアニール
• 半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
• クロライド系有機金属を用いた再蒸発促進効果によるAlGaAsのステップフロー成長
• 半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
• クロライド系有機金属による化合物半導体の選択成長に関する研究
• クロライド系有機金属によるAlGaAs/GaAsの横方向成長と面発光レーザへの応用
• クロライド系有機金属によるAlGaAsの選択エピタキシャル成長と光素子への応用
• クロライド系有機金属によるAlGaAsの選択エピタキシャル成長と光素子への応用
• 有機金属化学気相成長法によるAlGaAsの横方向成長と面発光素子への応用
• AlGaAs/GaAsヘテロ接合のショットキー構造フォトルミネッセンス測定

メディア報道

• シリコン基板上に高密度・高均一の III-V 族半導体量子ナノワイヤーを作製(電気通信大学（ニュースリリース）)
• 世界最高密度の量子ドットを導入した半導体レーザを開発(日刊工業新聞、電気通信大学（ニュースリリース）)
• Refining the quantum dot laser()
• Making InAs dots on silicon substrates()
• 高密度・均一粒径量子ドット作製 中間バンド型太陽電池 実用化に道(日刊工業新聞)
• ニッケル磁気構造 分解能５ナノメートルで観察(日刊工業新聞)
• １次元鎖状に量子ドット配列(日刊工業新聞)

産業財産権

• 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法
• 半導体光素子、及び半導体光素子の製造方法
• 量子ドットの形成方法および太陽電池
• 太陽電池およびその製造方法
• 量子ドットの形成方法
• 量子半導体装置およびその製造方法
• 量子半導体デバイスおよびその製造方法

所属学協会

• 応用物理学会
• 電子情報通信学会
• 日本結晶成長学会

委員歴

担当経験のある科目

• 先端技術開発特論
• エンジニアリングデザイン2
• エンジニアリングデザイン1
• 物理学概論第二
• 特別講義
• 量子電子工学
• 総合イノベーテイブコミュニケーションデザイン１
• 総合イノベーテイブコミュニケーションデザイン１
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン２
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン２
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン１
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン１
• 光電子材料学
• 光電子材料学
• 波動と光
• 波動と光
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン2
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン2
• 光デバイス工学基礎
• 光デバイス工学基礎
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
• イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
• 物理学概論第二
• 無機材料・計測化学特論Ⅰ
• 無機材料・計測化学特論Ⅰ

社会貢献活動

学術貢献活動