学位

• 博士(理学)(東京大学)

経歴

学歴

受賞

その他

論文

• The decay curves of luminescence from Eu²⁺ in β-SiAlON are effectively analyzed using the general-order kinetics formula [DOI] [Othres link] [Othres link]
• Red photostimulated luminescence and afterglow in CaS:Eu²⁺, Mn²⁺ phosphors [DOI] [Othres link] [Othres link] [ResearchMap]
• Observation of infrared interband luminescence in magnesium by femtosecond spectroscopy [DOI]
• 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.5 その他の光源材料・デバイス
• 東外大農工大電通大で開く3大学協働基礎ゼミ
• Photostimulated luminescence excited by infrared LEDs in CaS:Eu²⁺ red afterglow phosphors [DOI] [Othres link] [Othres link]
• 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
• ５年目を迎えたサイエンスカフェChofu
• VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
• 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
• Red afterglow and luminescence arising from defects in CaS:Eu2+,Tm3+ [DOI]
• 東京都と電通大による高大連携：課題探究教室
• 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
• VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
• 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
• 新規固体光源のための光材料研究ー半導体、ナノ材料、蛍光体－
• Red persistent luminescence excited by visible light in CaS:Eu2+,Tm3+
• シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究
• 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
• ブレッドボードを用いた光通信実験の回路工作授業
• Broad luminescence of Ce3+ in multiple sites in (La,Ce,Y)6Si4S17 [DOI]
• Efficient host excitation in thiosilicate phosphors of lanthanide(III)-doped Y-4(SiS4)(3) [DOI] [Web of Scientce]
• Effect of defects in TiO2 nanotube thin film on the photovoltaic properties of quantum dot-sensitized solar cells [DOI] [Web of Scientce]
• Crystal structure and photoluminescence of (Gd,Ce)(4)(SiS4)(3) and (Y,Ce)(4)(SiS4)(3) [DOI] [Web of Scientce]
• Electronic structures of two types of TiO2 electrodes: inverse opal and nanoparticulate cases [DOI] [Web of Scientce]
• Correlation between photoluminescence and structure in silicon nanowires fabricated by metal-assisted etching [DOI] [Web of Scientce]
• Glycothermal synthesis and photoluminescent properties of Ce3+-doped YBO3 mesocrystals [DOI] [Web of Scientce]
• Luminescence Properties of Rare-Earth-Doped Thiosilicate Phosphors on Silicon Substrate [DOI] [Web of Scientce]
• 先進理工学科における2年次専門実験（電気・電子回路実験）の準備と実施について [CiNii Research (CiNii Articles)] [Othres link]
• Red luminescence of Eu3+ doped ZnO nanoparticles fabricated by laser ablation in aquepus solution
• Crystal structure, photoluminescence and electroluminescence of (Ba,Eu)Si2S5
• Fabrication of ZnO nanoparticles by laser ablation of sintered ZnO in aquepus solution
• 赤外線リモコン受信モジュールを用いた赤外線検出器 [DOI] [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books]
• Photoluminescence properties of erbium-doped europium thiosilicate [DOI] [Web of Scientce]
• Crystal structure and optical properties of (Ba,Eu)2SiS 4 [DOI]
• Optical Properties of Silicon Nanowires Fabricated by Electroless Silver Deposition [DOI] [Web of Scientce]
• Effective Inclusion of e-Learning in a Subject of Physics Experiments: Introductory Electronics Laboratory [Web of Scientce]
• Yellow Photoluminescence of Europium Thiosilicate on Silicon Substrate [DOI] [Web of Scientce]
• 電子回路学実験（量子・物質工学科）におけるeラーニング実施について [CiNii Research (CiNii Articles)] [Othres link]
• Photoluminescence properties of Eu3+-doped ZnO nanoneedles [DOI] [Web of Scientce]
• Intense green luminescence from Eu2+ -doped ZnO microstructures [DOI] [Web of Scientce]
• Optical spin polarization and exchange interaction in doubly charged InAs self-assembled quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Crosshatch observation in MBE-grown be-doped InGaAs epilayer on InP [DOI] [Web of Scientce]
• Optical spin polarization in double charged InAs self-assembled quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Spin relaxation in CdTe quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Absorption saturation energy density of InGaAs-InAIAs multiple quantum well under tensile and compressive strain [DOI] [Web of Scientce]
• Indirect optical absorption of single crystalline beta-FeSi2
• Optical properties of beta-FeSi2 single crystals grown from solutions [DOI] [Web of Scientce]
• Quantum beats in semiconductor quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• MBE growth and optical properties of self-organized dots of CdTe and (Cd,Mn)Te [DOI] [Web of Scientce]
• Optical spin polarization of holes in negatively charged InAs/GaAs self-assembled quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Optical spin polarization in negatively charged InAs self-assembled quantum dots under applied electric field [DOI] [Web of Scientce]
• Luminescence quantum beats of strain-induced GaAs quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Spin quantum beats in charged and neutral InP quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• 1.5-mu m intraband transitions in PbSe quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Highest-order optical phonon-mediated relaxation in CdTe/ZnTe quantum dots(jointly worked)
• Spin relaxation in InP quantum dots [DOI] [Web of Scientce]
• Optical Study of Phonon-Mediated Carrier Relaxation in CdTe/ZnTe Self-Assembled Quantum Dots [DOI]
• PbSe量子ドットの光物性
• Ultrafast and wideband response in optical nonlinearity of molecular-beam-epitaxy-grown GaAs [DOI] [Web of Scientce]
• Complementary detection of confined acoustic phonons in quantum dots by coherent phonon measurement and Raman scattering [DOI] [Web of Scientce]
• Femtosecond response time in beryllium-doped low-temperature-grown GaAs/AlAs multiple quantum wells [Web of Scientce]
• Optical study of strain-induced GaAs quantum dots [Web of Scientce]
• Optical nonlinearity and response time in beryllium-doped standard temperature MBE grown GaAs/AlAs MQW [Web of Scientce]
• Large optical nonlinearity and fast response time in low-temperature grown GaAs/AlAs multiple quantum wells [Web of Scientce]
• Size-dependent picosecond energy relaxation in PbSe quantum dots [Web of Scientce]
• Strong confinement of PbSe and PbS quantum dots [Web of Scientce]
• Imaging and single dot spectroscopy of InP self-assembled quantum dots [Web of Scientce]
• Confinement effects in strain-induced InGaAs/GaAs quantum dots [Web of Scientce]
• Systematic control of spectral hole burning and homogeneous linewidth by disorder in Y2O3 : Pr3+ crystalline systems [Web of Scientce]
• Excitonic luminescence from self-organized quantum dots of CdTe grown by molecular beam epitaxy [Web of Scientce]
• Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks [Web of Scientce]
• Optical anisotropy in self-assembled InP quantum dots [Web of Scientce]
• Zero-dimensional excitonic properties of self-organized quantum dots of CdTe grown by molecular beam epitaxy [Web of Scientce]
• Magnetic field effects in InP self-assembled quantum dots [Web of Scientce]
• Time-resolved luminescence study of InP quantum dots in GaInP matrix [Web of Scientce]
• Self-organized quantum dots of zinc-blend MnTe grown by molecular beam epitaxy [Web of Scientce]
• Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks [Web of Scientce]
• Fine splitting in the optical spectra of InP self-assembled single quantum dot [Web of Scientce]
• Time-resolved luminescence of InP quantum dots in a Ga0.5In0.5P matrix: Carrier injection from the matrix [Web of Scientce]
• Defect-induced persistent hole burning in MgO-doped Pr3+: YAG systems [Web of Scientce]
• Reconsideration of relaxation processes of excitons in CuCl nanocrystals [Web of Scientce]
• Exciton localization and decomposition dynamics in cuprous halide nanocrystals [Web of Scientce]
• Observation of two types of spectral holes in MgO-doped Y2O3:Pr3+ crystals [Web of Scientce]
• Two types of spectral holes in Y2O3:Pr3+ crystalline systems [DOI]
• LUMINESCENCE SIDE BANDS DUE TO DISTRIBUTED STARK LEVELS IN PR3+-ZRO2-Y2O3(YSZ) [Web of Scientce]
• The role of divalent ions in persistent hole-burning mechanism in Y₂O₃ : Pr³⁺ crystals(jointly worked)
• HOMOGENEOUS LINE-WIDTH OF PRASEODYMIUM IONS IN VARIOUS INORGANIC MATERIALS [Web of Scientce]
• PERSISTENT SPECTRAL HOLE-BURNING OF PR-3+ IONS IN YTTRIA STABILIZED ZIRCONIA - A NEW HOLE-BURNING MATERIAL [Web of Scientce]

その他業績

• 巻頭言 四半世紀をむかえる「大学の物理教育」誌
• Eu2+含有シリコン硫化物からの黄色発光 ＝ シリコンウェーハ上に形成されるEu2+蛍光体物質 ＝ [CiNii Research (CiNii Articles)] [CiNii Books] [Othres link]
• Absorption saturation intensity of InGaAs-InAlAs MQW under tensile and compressive strain [Web of Scientce]

講演・口頭発表等

• beta-SiAlONに添加したEu2+ による発光の減衰曲線解析
• アップコンバージョン蛍光体Y4(SiS4)3:Er3+ の発光特性
• 金属における発光寿命と強度の系統的な理解に向けて
• CaS:Yb2+ における熱蛍光および近赤外光励起赤色発光
• 銅ニッケル合金の近赤外領域における超高速発光の組成比依存性
• 金属におけるフェムト秒赤外発光の特性と状態密度の相関
• CaS:Yb2+ における近赤外光励起による赤色光刺激発光
• 金属における超高速発光特性と電子比熱の相関
• 銅ニッケル合金における近赤外超高速発光の組成依存
• ミリ秒残光を示すEu2+ 添加蛍光体の残光特性
• CaS:Eu2+,Mn2+ 赤色残光蛍光体の発光特性
• Cs2Cu2I5 の発光に関する研究
• CaS:Eu2+,Tm3+ の欠陥による発光の特徴と赤色残光
• CaAl2O4:Ce3+,Dy3+の白色発光および残光特性
• 赤色残光蛍光体CaS:Eu2+,Dy3+のアルカリ金属イオン添加効果
• ３価のサマリウム原料を用いた蛍光体SrFCl:Sm2+の作製
• 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
• VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
• 可視光励起可能な赤色残光蛍光体CaS:Eu2+,Tm3+の発光特性
• 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光および残光特性
• 希土類フリー蛍光体Zn3(PO4)2:Mn2+,Si4+とZn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+の評価
• シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究
• 新規固体光源のための光材料研究ー半導体、ナノ材料、蛍光体ー
• Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ の熱蛍光特性と燐光減衰曲線の評価
• CaAl2O4:M,Ga3+ (M=Ce3+,Eu2+) 蛍光体の発光特性
• ボールミルを用いたBaMoO4:Eu3+ の作製
• 青色励起可能な赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
• II-Y2S4蛍光体の発光波長制御
• 亜鉛を含むシリコン硫化物蛍光体膜の作製と評価
• 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
• 赤色蛍光体CaAlSiN3:Eu2+の低Eu2+濃度における青色発光の検討
• La2S3:Ce3+の赤色カソードルミネッセンスおよびフォトルミネッセンス
• 発光色の調整可能なCaM2O4:Eu3+ (M = Sc,In)蛍光体の発光特性
• Ca2SiS4:Eu2+,Er3+蛍光体の残光特性
• Broad luminescence of Ce3+ in multiple sites in (La,Ce,Y)6Si4S17 phosphor
• 青色蛍光体SrAl2O4:Ce3+ におけるGa添加による発光向上
• Y4(SiS4)3:Ln3+ 蛍光体の温度特性およびエネルギー緩和過程
• Sr2SiS4:Eu2+,Ln3+ 蛍光体の発光および残光特性
• 2価、4価イオン共添加Y2O2S:Eu3+ 蛍光体の熱蛍光特性
• 逆オパール構造とナノ粒子構造を有する増感太陽電池用TiO2 電極の光吸収・発光・光電子収量特性評価
• (La,Ce,Y)6Si4S17 蛍光体の時間分解発光特性
• 新規シリコン硫化物蛍光体の母体励起発光
• (La,Ce,Y)6Si4S17 蛍光体の発光帯とCe3+ 置換サイトとの関係
• Y4(SiS4)3:Ce3+ 蛍光体の粒径および均一性の評価
• 黄色から赤色の残光蛍光体 Ca2SiS4:Eu におけるNd3+, Gd3+ 添加の影響
• イットリウムチオシリケート蛍光体の温度特性に関する研究
• 添加物による Y4(SiS4)3 蛍光体の発光特性の研究
• 新規シリコン硫化物蛍光体の探索

書籍等出版物

作品等

共同研究・競争的資金等の研究課題

• 可視光から近赤外光の波長可変励起による微弱光検出を利用した蓄光蛍光体の研究
• 母体の光吸収波長を利用した低温焼成新規高演色蛍光体材料の開拓

メディア報道

産業財産権

• 蛍光体、その製造方法及び発光装置
• 発光素子とその製造方法、並びにErSi2ナノワイヤーとその製造方法
• 半導体素子

所属学協会

• 照明学会
• 蛍光体同学会
• 日本物理教育学会
• 応用物理学会
• 日本物理学会

委員歴

担当経験のある科目

社会貢献活動

学術貢献活動